Контактные данныеНаш адрес: Москва г., Мытная ул., 1
+7 (495) 938 43 39 тел.
+7 (495) 945 29 32 факс
+7 (495) 938 43 39 тел.
+7 (495) 945 29 32 факс
Встроенные дешифраторы
"Возможно, что окончательный предел роста сложности СБИС будет связан с вводом и выводом внешних по отношению к схемам сигналов", - говорит Говард из фирмы Motorola.
Но даже в том случае, если при помощи встроенных дешифраторов или мультиплексирования сигналов количество внешних контактов кристалла удастся сохранить на приемлемом уровне, "наши ограниченные возможности...
Создание электрогенераторов
Он указывает всего на несколько технических методов, которые сегодня являются предметом интенсивных исследований. Среди них он отмечает, создание электрогенераторов с криогенным охлаждением и получение термоядерной энергии. В этой области перед специалистами по электронике открыты многие возможности, так как сложность технических проблем в решаемых.задачах энергетики...
Проявление резистов
Технология жидкостного химического проявления резистов имеет, по словам Джорджа Хейлмайера, вице-президента по комплексным исследованиям, разработкам и конструированию в фирме Texas Instruments Inc. (Даллас), много...
Современное оборудование
Дело в том, указывает он, что учебная лаборатория в университете или в колледже дает студенту возможность лишь взглянуть на реальный мир. "Лабораторные занятия, - говорит Слейд, - это пустая трата времени. Настоящие знания появляются...
Электронная промышленность
Одна из основных проблем, с которой пришлось столкнуться в последнее время, состоит в том, что упомянутый цикл был нарушен: в течение последних пяти лет практически отсутствовал рисковый капитал. Если мы не будем уделять надлежащего внимания...
Развитие науки и техники
При наличии такого отдельного статуса уровень зарплаты преподавателей высших учебных заведений может намного превзойти уровень зарплаты специалистов других категорий. Без этого, утверждает Жигенда, качество подготовки выпускников...
Диверсификация промышленности
Правда, Саймон Рамо, фирма TRW, обращает внимание на то обстоятельство, что создание новой технологии - это еще не разработка нового изделия. Тем не менее...
Встроенные дешифраторы
Жозеф Борель, директор лаборатории прикладной микроэлектроники в Гренобле (Франция) рассуждает аналогично. "Малая потребляемая мощность, вероятно, стимулирует разработку некоторых высококачественных К/МОП-схем со значительно повышенной плотностью упаковки", - говорит он. Борель является также сторонником схем на сапфировых подложках, обладающих высокой устойчивостью к паразитным эффектам, которые, как он считает, устранить в биполярных ИС или в МОП ИС на монолитных кремниевых подложках не удается.
Сапфир действительно представляет собой хороший материал для подложки при изготовлении кремниевых ИС, так как кристаллические решетки кремния и сапфира близки друг к другу. Однако по-прежнему серьезным ограничением здесь остается высокая стоимость сапфира; в конце концов, натуральный сапфир относится к драгоценным камням. Стремясь снизить стоимость сапфировых подложек, отделение ИС компании RCA Corp. (Сомервилл, шт. Нью-Джерси) занималось разработкой метода получения сапфировых лент вытягиванием из расплава.
Но пока им не удалось снизить цены приборов на сапфировых подложках до уровня цен аналогичных приборов на монолитных кремниевых подложках. Билл Говард из фирмы Motorola согласен с тем, что применение изолирующих подложек может стать эффективным способом создания СБИС с пониженной потребляемой мощностью, ослабленными паразитными эффектами и высоким быстродействием. Однако он не назвал сапфир подходящим материалом для таких подложек; действительно, он в шутку называл структуру КНС-схем "кремний на чем то еще".
Одним из косвенных методов формирования монокристаллических кремниевых пленок на изолирующих подложках является лазерный отжиг осажденного на изолирующую подложку поликристаллического материала. В настоящее время многие специалисты исследуют этот подход и получают вполне обнадеживающие результаты.
Сапфир действительно представляет собой хороший материал для подложки при изготовлении кремниевых ИС, так как кристаллические решетки кремния и сапфира близки друг к другу. Однако по-прежнему серьезным ограничением здесь остается высокая стоимость сапфира; в конце концов, натуральный сапфир относится к драгоценным камням. Стремясь снизить стоимость сапфировых подложек, отделение ИС компании RCA Corp. (Сомервилл, шт. Нью-Джерси) занималось разработкой метода получения сапфировых лент вытягиванием из расплава.
Но пока им не удалось снизить цены приборов на сапфировых подложках до уровня цен аналогичных приборов на монолитных кремниевых подложках. Билл Говард из фирмы Motorola согласен с тем, что применение изолирующих подложек может стать эффективным способом создания СБИС с пониженной потребляемой мощностью, ослабленными паразитными эффектами и высоким быстродействием. Однако он не назвал сапфир подходящим материалом для таких подложек; действительно, он в шутку называл структуру КНС-схем "кремний на чем то еще".
Одним из косвенных методов формирования монокристаллических кремниевых пленок на изолирующих подложках является лазерный отжиг осажденного на изолирующую подложку поликристаллического материала. В настоящее время многие специалисты исследуют этот подход и получают вполне обнадеживающие результаты.