Он получил степень бакалавра гуманитарных наук в колледже Уильямса и степень доктора наук в Принстоне. Джордж X. Хейлмайер, вице-президент по исследованиям, конструкторским разработкам и технике фирмы Texas Instruments (Даллас). Он является обладателем 15 патентов по молекулярным и жидким кристаллам. Будучи с 1971 по 1975 г. помощником директора по научным исследованиям и технике министерства обороны, Хейлмайер явился инициатором новых программ в области СВЧ-приборов, волоконной оптики , инфракрасных систем и комплементарных МОП-приборов на сапфировой подложке, характеристики которых подвергаются радиационной стабилизации.

Затем с 1975 по 1977 г. он работал директором управления перспективных исследований министерства обороны. До его пребывания на этих административных высотах он с 1958 по 1970 г. являлся сотрудником фирмы RCA Laboratories (Пристон, шт. Нью-Джерси). Он имеет степень бакалавра по электротехнике, которую получил в Пенсильванском университете, а также магистерскую и докторскую степени, полученные им в Принстоне. Гордон Ю. Мур, председатель совета директоров и главный администратор фирмы Intel (Санта-Клара, шт. Калифорния).

До того как он совместно с Робертом Нойсом приступил к основанию фирмы Intel, он был членом технического совета фирмы Schockley Semiconductor Laboratory и директором по научным исследованиям и разработкам фирмы Fairchild Semiconductor. Он имеет степень бакалавра наук, полученную им в Калифорнийском университете (Беркли), и степень доктора наук, присвоенную ему Калифорнийским технологическим институтом.. В свое время он стал первым лауреатом премии за выдающиеся достижения в электронике, присуждаемой журналом Electronics.

Саймон Рамо, вице-председатель совета директоров фирмы TRW (Кливленд, шт. Огайо) и председатель административного комитета этой; компании. В течение 1976-1977 годов он служил в качестве председателя комиссии по науке и технике при президенте США; тогда же был председателем консультативного совета при министерстве торговли, а в 1973-1975 годах - членом консультативной комиссии Белого дома по" научным и международным аспектам исследований и разработок в области энергетики.

Рамо имеет степень бакалавра наук, полученную им в Университете штата Юта, и доктора наук, полученную в Калифорнийском технологическом институте. Он был президентом фирмы Space Technology Laboratories и главным научным руководителем национальных программ США па созданию межконтинентальных управляемых реактивных снарядов, а также основателем фирмы Ramo-Woolridge. В 1979 г. был награжден Национальной медалью за заслуги в развитии науки.

Пол Ричмен, президент фирмы Standard Microsystems. В свое время он был вице-президентом по научным исследованиям и опытно-конструкторским разработкам фирмы Solid State Data Scincces, а также старшим инженером-разработчиком в центральных исследовательских лабораториях фирмы General Telephone and Electronics. Он имеет степень бакалавра по электротехнике, которую получил в Массачусетском технологическом институте, и степень магистра, полученную в Колумбийском университете. Ричмен является внештатным профессором университета штата Нью-Йорк (Стони-Брук).